[A] [B] [C] [D] [E] [F] [G] [H] [I] [J] [K] [L] [M] [N] [O] [P] [Q] [R] [S] [T] [U] [V] [W] [X [Y] [Z]

 Absorption – абсорбция. Процесс поглощения вещества из смеси газов жидкостью. В отличие от адсорбции, абсорбция происходит во всём объёме поглотителя (абсорбента). Поглощаемое вещество – абсорбат. Примеры: абсорбент вода поглощает газы NH₃, HCl, H₂S, Cl₂ (абсорбаты).

 Accelerometer - акселерометр. Сенсорное устройство, которое измеряет ускорение или силу гравитации, способную сообщать (вызывать) ускорение. Акселерометр также используется как микродатчик для определения и измерения колебаний.

 Accelerated life testing – ускоренное испытание на отказ. Методология в теории надежности МЭМС и НЭМС. Микроизделие подвергается высокому уровню рабочих нагрузок и сильному воздействию окружающей среды, таких как высокая температура и напряжение. Применяется для ускорения появления отказа, который обычно проявляется на более поздних стадиях «жизни» микроизделия.

 Accuracy – точность (погрешность) измерений. Точность – характеристика измерения, отражающая степень близости его результатов к истинному значению измеряемой величины. Оценкой точности измерений может служить величина, обратная относительной погрешности измерений. Погрешность измерений (ошибка измерений) – отклонение результатов измерений от истинных значений измеряемой величины. Различают систематические и случайные погрешности измерений, а также промахи. Систематические обусловлены главным образом погрешностями средств измерений и несовершенством методов измерений. Случайные обусловлены неконтролируемыми изменениями окружающих условий. Промахи обусловлены неисправностью средств измерений.

 Acid - кислота, кислотная среда. Примеры: HF, HNO₃, H₂SO₄, H₃PO₄, CH₃COOH и др.

 Actuator - актюатор, микроисполнительное устройство, микродвигатель, микродвижитель. Некоторый возбуждающий механизм, который приводит в действие какое-либо устройство посредством преобразования одного вида энергии в другую (в механическую энергию). Различают актюаторы магнитные, пьезоэлектрические, электростатические, биметаллические и др.

 Acoustic electromotive force element - элемент акустоэлектрического силового двигателя. Преобразователь, который преобразует кинетическую энергию акустической волны в электрическую энергию. Иногда в литературе встречаются другие названия этого микроизделия: акустоэлектронный (акустоэлектрический) преобразователь (актюатор).

 Action potential – биопотенциал, потенциал действия. Потенциал передачи сигнала (биологического), потенциал сокращения (мускул), потенциал движения (мембраны). Это временное изменение электрического напряжения между стенками клеточной мембраны нерва или клетками мускула. Биопотенциал действия возникает, когда клетка стимулируется нервным импульсом. Биопотенциалы формируют механизм, по которому сенсорные и моторные функции (сигналы) передаются по нервной системе. Понятие используется в нанобиотехнологии.

 Active area – активная рабочая зона (слой). Область тонкого слоя кремния на пластине кремния, в которой находятся (сформированы) транзисторы и иные схемы.

 Active catheter - активный катетер. Катетер, который может передвигаться и достигать места назначения в ответ на полученные внешние сигналы управления. Катетер свободно изгибается и меняет направление движения за счёт встроенного в него микроактюатора. Катетер – это специальная трубка. Катетеризация – введение катетера в полость тела с диагностической или лечебной целями.

 Active layer – активный рабочий слой. Слой микроэлектронного устройства, в котором как электроны так и дырки являются активными. Например, в тонкопленочных транзисторах тонкая кремниевая пленка – это рабочий слой.

 Adenosine TriPhosphate (ATP) - аденозинтрифосфат, аденилпирофосфат. Соль C₁₀H₁₆N₅O₁₃P₃. Природное органическое соединение, состоящее из пуринового основания аденина, моносахарида, рибозы и трёх остатков фосфорной кислоты. Универсальный аккумулятор и переносчик энергии в живых клетках. Энергия освобождается при отщеплении одной или двух фосфатных групп и используется при биосинтезе различных веществ, при движении (в том числе мышечном сокращении) и в других процессах жизнедеятельности. Применяют в качестве лекарственного препарата при спазмах сосудов, мышечной дистрофии (доставка лекарств с помощью МЭМС- и НЭМС-роботов). Ведутся работы по применению в качестве источника энергии в нанобиосистемах.

 Adhesion - адгезия. Свойство (явление) слипания разнородных твердых материалов, соприкасающихся своими плоскостями. Высокая адгезия к Si у пленки термической двуокиси кремния SiO2. Пример относительно низкой адгезии к Si - у пленки молибдена, полученного пиролизом пентакарбонила молибдена. Из-за низкой адгезии наблюдается отслоение пленок от поверхности подложки.

 Adhesive bonding - технология соединения материалов посредством адгезионного «слипания», технология адгезионного соединения подложек. Эта технология использует промежуточный слой для скрепления подложек.

 Adjustment – настройка, корректировка. Действие, направленное на приведение измерительного микроустройства в состояние рабочего режима. Характеризуется отсутствием систематической ошибки при использовании измерительного устройства.

 Adsorption - адсорбция. Процесс поглощения вещества из растворов или газов на поверхности твердого тела или жидкости (адсорбента). То, что поглощается, называется адсорбатами. Пример: поглощение активированным углем или растворами некоторых солей (адсорбенты) определенных газов (адсорбаты).

 Aliasing – эффект наложения (одной частоты на другую). Процесс, при котором две или более частоты, кратные друг другу, не могут быть разделены (выделены друг относительно друга) при проведении процесса дискретизации в аналого-цифровом преобразователе.

 Aligner – система (установка) совмещения и экспонирования. Оптическая система в установке совмещения и экспонирования. Используется для перемещения шаблона (маски) или пластины с промежуточным изображением.

 Alignment – совмещение. Подгонка положения, ориентирование в плоскости. Размещение маски (шаблона) и пластины в строго определенном положении относительно друг друга. Проводится путем совмещения специальных меток верхнего слоя (на шаблоне) и нижнего слоя (на пластине). После подгонки положения (совмещения меток, а значит – совмещения рабочих рисунков слоёв схемы), светочувствительный фоторезист на пластине подвергается воздействию света, который проходит через прозрачные участки маски (шаблона).

 Alloy expansion actuator - актюатор расширения сплава. Микроисполнительное устройство (микродвижитель, микроактюатор), в котором в качестве движущей силы используется изменение объема сплава посредством сохранения газа/газовыделения. Когда пленка сплава гидрирована (гидрирование – соединение с водородом), сплав расширяется. Это происходит потому, что пространство между атомами металла увеличивается на порядок, что соответствует определенной концентрации окклюдированного (присоединенного) газа. Это явление может быть использовано для применения в актюаторах. Актюатор расширения сплава имеет следующие преимущества: простая конструкция, подходщая для миниатюризации, и свойство самосохранения состояния при выключении питания. Недостатки: слабый ответный сигнал и относительно маленькое смещение. Для компенсирования этих недостатков, используют дополнительный биморфный актюатор, который деформирует пленки сплава для увеличения смещения. Популярные материалы сплавов для гидрирования – LaNi₅ и TiFe. Кроме того, используются тонкие пленки, полученные вакуумным осаждением или технологией напыления, а также аморфные тонкие пленки, сформированные посредством охлаждения расплава.

 Aluminum – аллюминий, алюминиевая металлизация. Проводящий металл, используемый в микросхемах для соединения разных частей реализуемого микроустройства.

 Ambient – среда. Совокупность окружающих микроустройство условий. Например, состояние температуры, давления, влажности, наличие агрессивных газов и паров.

 Amorphous silicon (a-Si) - аморфный кремний. Кроме аморфного различают монокристаллический и поликристаллический кремний. Отличия – во внутренней структуре материала. Слои аморфного образуются при имплантации легирующих примесей в монокристаллический кремний. Имплантированные аморфные слои кремния перекристаллизуются до монокристаллического при последующих термических отжигах по механизму твердофазной эпитаксии.

 Amplification – амплификация. В биотехнологии это обработка, приводящая к увеличению числа копий ДНК. В электронике это процесс увеличения амплитуды электрического напряжения.

 Anchor – якорь. Место, где некоторая составная часть МЭМС-устройства прикрепляется к подложке для предотвращения её перемещения.

 Annealing - отжиг. Вид термической обработки, заключающийся в нагреве металла, сплава или стекла, выдержке при температуре нагрева и последующем медленном охлаждении для удаления внутренних напряжений, для получения менее хрупкого материала или изменения структуры исходного материала. Широко применяется в микротехнологии.

 Anisotropic etching - анизотропное травление. Обработка полупроводникового материала (кремния) травлением. При этом травление по различным кристаллографическим направлениям происходит с различной скоростью. Различают также анизотропное травление диэлектрической пленки под литографической маской. Это процесс травления с нулевым смещением. Обеспечивает формирование вертикального профиля края элемента, совпадающего с краем маски. В этом случае травление пленки в горизонтальном направлении под маску не происходит, рисунок переносится с идеальной точностью; это соответствует экстремальной ситуации идеально анизотропного травления.

 Anisotropy - анизотропия. Зависимость свойств среды (материала) от направления. Характерна для упругих, тепловых, оптических и других свойств материалов. Пример: анизотропия скорости роста эпитаксиальных слоёв кремния по разным кристаллографическим плоскостям приводит к смещению топологического рельефа скрытых слоёв.

 Anodic bonding - анодное соединение. Термоэлектродиффузионное сплавление, метод герметичного бесклеевого соединения стекла с кремнием. Кремниевая и стеклянная пластины в контакте нагреваются до 300-500 ⁰C, подается высокое напряжение, происходит миграция ионов стекла в поверхностный слой кремния и пластины соединяются очень прочной, фактически химической связью.

 Application-Specific Integrated Circuit (ASIC) – специализированная интегральная схема. Это схема, разработанная строго для конкретного применения. Например, чип, спроектированный исключительно для управления мобильным телефоном. Этот чип является специализированной интегральной схемой, в то время как микропроцессор не является специализированной интегральной схемой, поскольку его можно применять для разных целей. Хотя понятие «специализированная интегральная схема» относится как к аналоговым, так и цифровым устройствам, но обычно применяется для цифровых схем. Максимальная сложность и, следовательно, функциональность современных специализированных интегральных схем варьируется от 5000 вентилей и до 100 миллионов. Часто специализированные интегральные схемы имеют встроенный 32-битный процессор и иные большие стандартные блоки. Такую специализированную интегральную схему в технической литературе часто называют «системой на чипе». Проектировщики специализированных интегральных схем используют программные языки описания аппаратуры (HDL), такие как Verilog или VHDL, для описания функциональных возможностей схем.

 Aqueous – водный раствор какого-либо вещества.

 ARDE (Aspect Ratio Dependent Etching) – травление, зависящее от характеристического отношения. Так называют дефект, возникающий при сухом (плазменном) травлении. Дефект формируется из-за разницы в скорости плазменного травления вещества подложки вследствие разного микрорельефа поверхности этой подложки.

 Area array – поверхностная решетка. Компактная технология микросборки и герметизации чипа. Разработана в 90-х годах 20 века. По этой технологии выводы для припоя размещаются «по сетке» на поверхности чипа.

 Argon - аргон. Инертный газ. Обычно используется в системах охлаждения, системах разбавления реакционных газов или при создании нейтральной (безвоздушной, безкислородной) среды в химических реакторах. Пример: получение низкотемпературных пленок SiO₂ в атмосфере Ar пиролизом с использованием (SiH₄+O₂).

 Artificial organ - искусственный орган. Это микроустройство (оборудование), которое заменяет неправильно работающий человеческий орган и принимает на себя его функции временно или навсегда.

 Ashing – озоление. Метод удаления фоторезиста при помощи плазмы (плазмохимическое удаление фоторезиста).

 Aspect ratio – характеристическое отношение. Соотношение геометрических размеров микроструктуры. Cоотношение между структурной высотой и шириной. Например, высота микроструктуры 10 мкм, а ширина 2 мкм, характеристическое отношение 5:1 или 5. Высокое характеристическое отношение соответствует отношению выше 10.

   –(lateral) - поперечное. Отношение длины микроструктуры в плоскости пластины к ширине структуры в этой плоскости.

   –(vertical) - вертикальное. Отношение высоты микроструктуры по перпендикуляру к поверхности пластины к толщине структуры в плоскости пластины.

 Assembly - сборка, монтаж. Заключительная, очень важная, сложная и крайне ответственная за выходное качество микроустройств, стадия полупроводникового производства микросхем или МЭМС-изделий. В ходе сборки (монтажа) устройство (чип) заключается в пластмассовый, керамический, металлический или иной корпус. Существует также и бескорпусная сборка (монтаж).

 Astigmatic focus error detection - астигматическое определение отсутствия фокуса. Метод бесконтактного измерения смещения фокуса вдоль оптической оси в фотолитографии. Измерения осуществляются посредством определения степени искажения изображения точки, проецируемой астигматической оптической системой. Астигматизм – искажение изображения оптической системой. Искажение связано с тем, что преломление (или отражение) лучей в различных сечениях проходящего светового пучка неодинаково. Вследствие астигматизма изображение точки становится нерезким. Проецируемая точка изображается размытым эллипсом. Разработаны и эксплуатируются автоматические астигматические системы.

 Atomic Force Microscope (AFM) - атомно-силовой микроскоп. Тип сканирующего зондового микроскопа с микроскопическим сенсором силы в качестве зонда. Силовой сенсор – это гибкая микроконсоль с наконечником. Силовой сенсор проводит сканирование микроповерхности образца. Производя сканирование, атомно-силовой микроскоп записывает деформацию консоли. По степени деформации консоли можно измерять локальную высоту микрообъекта.

 Autonomous distributed control - автономное распределенное управление. Метод управления распределенными объектами. Заранее программируемое многофункциональное логическое управление. Позволяет без оперативного вмешательства извне (без воздействия командного пункта) организовать быстрое и автономное выполнение работы со стороны этих распределенных индивидуальных объектов (например, микророботов).

 Bandwidth - это разница между верхней и низшей частотой среза фильтра

 Batch Fabrication - групповой метод производства. Производственный процесс, в течении которого одновременно изготавливается большое количество устройств

 Beam - луч, пучок

 Beam processing - лучевая обработка. Процесс обработки, использующий высокоплотные энергетические лучи.

 Behavioral model - поведенческая модель

 BioMEMS - БиоМЭМС. МЭМС устройства, использующиеся в области биотехнологии

 Bimetal - биметаллический

 Biomimetics - биомиметика. Создание функций, которые имитируют движение или механизмы организмов

 Bode plot - график Боде

 Bonding - технология объединения одного материала с другим

 Bonding pads - контактные площадки. Металлизированные площадки по периметру чипа, используемые для соединения чипа с контактами корпуса путем приварки микропроводов

 Boron etch stop technique - технология остановки травления Бором

 Boundary - граничный

 Boundary element analysis (BEA) - анализ граничных элементов

 Bow - измерение плоскостности подложки, обычно указанное с конусностью

 Breaking strength - прочность на разрыв. Напряжение, действующее в твёрдом материале в момент, когда оно разламывается под действием внешней силы

 Buckminsterfullerene - сфера из 60 атомов углерода, один из типов фуллерена

 Buckyball - популярное название Buckminsterfulleren

 Buffered oxide etch (BOE) - травление буферным оксидом

 Build-in - встроенные

 Bulk Micromachining - объёмная микрообработка. Формирование травлением микроструктуры непосредственно в подложке

 Cantilever - консоль

 Capacitive displacement meter - емкостной измеритель смещения. Устройство для измерения смещения на основе емкостного сопротивления

 Carbohydrate - углеводород

 Carbon nanotube (CNT) - углеродная нанотрубка

 Castiglianos theorem - теорема Кастильяно

 Catalyst - катализатор

 Cauchy number - число Коши

 Cell - клетка

 Cell fusion - слияние клеток. Слияние двух смежных клеток в одну с исчезновением перегородки между ними.

 Cell surgery - клеточная хирургия

 Charge density - плотность заряда

 Charge coupled device - устройства с зарядовой связью

 Chemical bearing - химический подшипник. Подшипник, который поддерживает ведущий вал жгутикового двигателя, который является двигательным органом бактерии

 Chemical-mechanical polishing (CMP) - химико-механическое полирование

 Chemical Vapour Deposition (CVD) - химическое осаждение из паровой (газовой) фазы. Рост тонких твердых плёнок на подложке в результате термохимических реакций в паровой фазе

 Chemo Mechanical Planarization (CMP) - технология обработки, которая одновременно адресует получение чистой поверхности, контроль плоскостности и утоньшения

 Clamp - защемлять, зажимать

 Coating - нанесение покрытия. Технология формирования плёнок различных типов на твёрдой поверхности.

 Coefficient of static friction - коэффициент статического трения

 Coherently diffracting domains (CDD) - когерентно рассеивающие области

 Comb drive - штырьевой двигатель

 Сompound - компаунд

 Computer-aided design (CAD) - автоматизированное проектирование

 Concentration dependent etching - травление, зависящее от концентрации

 Conservation law - закон сохранения

 Сontact lithography - контактная литография

 Copolymer - сополимер. Полимеры, молекулы которых содержат звенья мономеров, различного химического состава

 Cost of Ownership - стоимость собственности. Полная стоимость для пользователя, относительно первоначальной стоимости оборудования, используемых материалов, приспособлений, эксплуатационные расходы, время оператора, накладные расходы оператора, от начала вложений и до конечного результата

 Coupling coefficient - коэффициент связи

 Сovalent bond - ковалентная связь

 Cross-axis Sensitivity - чувствительность по поперечной оси

 Cross section - поперечное сечение

 Crucible - тигель

 Curie point - точка Кюри, точка, при которой пьезоэлектрик теряет свои свойства

 Curve fitting - аппроксимация кривой

 DC analysis - статический анализ

 Deep Reactive Ion Etching (DRIE) - глубинное реактивное ионное травление

 Deflection - деформация, отклонение

 Deposition - осаждение, нанесение слоев материала на подложку.

 Density - плотность

 Deviation - девиация, отклонение

 Device - отдельное устройство

 Dielectric constant - диэлектрическая пстоянная

 Differential algebraic equations (DAEs) - дифференциально-алгебраические уравнения

 Difference quantity - дифференциальная величина

 Diffraction - дифракция

 Diffusion - диффузия

 Diffusion gauge - тензодатчик, который использует пьезорезистивный (тензорезистивный) эффект, диффундируя примесь в кремниевую подложку.

 Dislocation - дислокация

 Doping - легирование. Технология модификации материала добавлением примеси

 Drift - дрейф

 Dry etching - сухое травление. Процесс травления в газовой фазе, посредством физической и/или химической реакции реактивного газа или плазмы

 Durability - износоустойчивость, прочность

 Ejection - эжекция, испускание

 Elasticity - упругость

 Elastomer - эластомер. Полимер, обладающий при обычных температурах высокоэластичными свойствами, т.е способные к огромным обратимым деформациям растяжения

 Electroforming - электроформовка. Процесс копирования форм с высокой точностью электроосаждением, используя полимеры или металл в качестве шаблона

 E-beam Lithography - электронно-лучевая литография. Альтернатива рентгеновской литографии (использующей электроны), которая обеспечивает высокое разрешение и не требует фотошаблона.

 Electrochemical passivation technique - технология электрохимической пассивации (подтравливания)

 Electro-discharge machining (EDM) - микрообработка электрическим разрядом. Технология удаления материала вследствие эрозийного воздействия

 Electron probe microanalysis - электронно-зондовый микроанализ. Метод, который использует электронные лучи или рентгеновские лучи для наблюдения за твёрдой поверхностью и количественного анализа составляющих элементов.

 Electromagnetic actuator - электромагнитный актюатр

 Electroplate - осаждение покрытие методом электроосаждения

 Electrostatic actuator - электростатический актюатр. Актюатр, который использует электростатическую силу

 ElectroStatic Discharge (ESD) - электростатический разряд. Максимальное напряжение, при котором устройство будет продолжать соответствовать техническим требованиям после этого воздействия

 Electrostatic force microscope (EFM) - электростатический силовой микроскоп, тип сканирующего зондового микроскопа. Это микроскоп который сканирует зондом и измеряет электростатическую силу, которая действует между зондом и образцом, и рисует изображение основанное на измерении

 Epitaxy - эпитаксия. Технология выращивания монокристаллических тонких плёнок в соответствии с кристаллической структурой подложки

 Equilibrium state - состояние равновесия

 Etching - травление. Удаление рельефного жертвенного материала (обычно оксида), окруженного конструкционным материалом

 Etch hole - ямка травления

 Etch rate - скорость травления

 Etch profile - профиль травления

 Etch-stop Technique - метод остановки травления

 Ethylene diamine pyrocatechol (EDM) - этилендиаминовый пирокатехин. Травитель кремния подобный KOH или TMAH, но более высоко токсичный

 Eutetic bonding - тип технологии адгезионного соединения подложек, где промежуточный слой является золотом

 Evaporate - напылять, выпаривать

 Excimer laser micromachining - микрообработка эксимерным лазером. Метод удаления материала при помощи эксимерного лазера

 Exposure - экспонирование

 Ferroelectric - сегнетоэлектрик

 Finite element analysis (FEA) - конечно-разностный анализ

 Flexible micro-actuator - гибкий микроактюатр, который может двигаться в любом направлении. Он служит для управления пневматическим или гидравлическим давлением в гибком теле

 Flip chip - перевернутый кристалл (связываемый с металлизированными межсоединениями подложки за одну операцию)

 Flow sensor - датчик расхода. Датчик для измерения расхода жидкости

 Flow quantity - потоковая величина

 Focused ion beam machining - обработка сфокусированным ионным лучом. Технология, которая удаляет микроскопические частицы материала с поверхности, посредством распыления ускоренных и сфокусированных ионов

 Foundry - полные возможности производства по изготовлению полупроводниковых пластин

 Fourier number - число Фурье

 Frequency domain - частотная область

 Friction - трение

 Froude number - число Фруда

 Fullerene - фуллерен

 Fusion bonding - технология объединения материалов методом сплавления

 Gap - зазор

 Gap model - модель зазора, состоящая из двух балок с электростатическим зазором

 Gel - гель. Полимер, который имеет 3-х мерную сеть и является застывшим раствором (коллоидный раствор) в виде желе

 Glass - стекло

 Grinding - Очень агрессивный процесс удаления материала, обычно использующий зафиксированный абразив

 Groove - канавка

 Hardened Photoresist - задубленный фоторезист

 Hardness - твёрдость

 Hardware Description Language (HDL) - язык описания аппаратуры.

 Hexamethyl disilazane (HMDS) - гексаметил дисилазан. Используется в технологии нанесения покрытий.

 Homogeneous - гомогенный, однородный

 Honing-lapping - хонингование (притирка)

 Hot embossing - горячее тиснение

 Hydraulic actuator - гидравлический актюатор

 Hydrogen storage alloy - сплав хранения водорода. Сплав способный растворять большое количество водорода между кристаллическими решётками.

 Hydrofluoric acid - плавиковая кислота

 Hysteresis cycle - гистерезисный цикл

 Inhomogeneous - неоднородная

 Insulator - изолятор

 Integrated Circuit (IC) - интегральная схема. Электронная схема, включающая несколько микроскопических компонентов, сформированных вместе как отдельная твёрдая часть.

 Interferometer - интерферометр. Аппаратура, которая собирает две или более электромагнитные или звуковые волны, испущенные одним источником, но разными путями, для получения интерференции между ними.

 Ion beam machining - ионно-лучевая обработка. Процесс обработки, основанный на распылении ускоренного ионного луча

 Ion implantation - ионная имплантация. Технология добавления примеси в материал бомбардировкой ускоренных ионов

 Ion plating - ионное осаждение. Осаждение из паровой (газовой) фазы, в котором парообразные частицы ионизированы или возбуждены в плазме и осаждены на подложку, посредствои использования кинетической энергии, приобретаемой вследствие электрического поля

 Ion sensitive field effect transistor (ISFET) - канальный [полевой, униполярный] транзистор с изменением концентрации ионов

 Isotropic - изотропный

 Isotropic etching - изотропное травление. Обработка материала травлением, при которой травление происходит во всех направлениях с равными скоростями

 Junction Field Effect Transistor (JFET) – полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n переходом, смещенным в обратном направлении. Такой транзистор имеет два невыпрямляющих контакта к области, по которой проходит управляемый ток основных носителей заряда, и один или два управляющих электронно-дырочных перехода, смещенных в обратном направлении. При изменении обратного напряжения на p-n переходе изменяется его толщина и, следовательно, толщина области, по которой проходит управляемый ток основных носителей заряда. Область, толщина и поперечное сечение которой управляется внешним напряжением на управляющем p-n переходе и по которой проходит управляемый ток основных носителей, называют каналом. Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда, называют истоком. Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда, называют стоком. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называют затвором. Электропроводность канала может быть как n-, так и p-типа. Поэтому по электропроводности канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Все полярности напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны. Управление током стока, т. е. током от внешнего относительно мощного источника питания в цепи нагрузки, происходит при изменении обратного напряжения на p-n переходе затвора (или на двух p-n переходах одновременно). В связи с малостью обратных токов, мощность, необходимая для управления током стока и потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, оказывается ничтожно малой. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний, как по мощности, так и по току и напряжению. Его можно использовать как переключатель с электронным управлением, как варистор. Производители: Analog Devices (США, Германия), Texas Instruments (США) и др.

 Kirchhoffian network (KHN) - сеть Кирхгоффа. Электрические цепи часто моделируются как сети. Такой сетевой подход можно перенести на моделирование таких областей физики как механика и пневматика. Существуют некоторые основные требования, которым должны соответствовать системы для того, чтобы их можно было моделировать как сети. 1) Cети состоят из элементов (узлов) и связей между ними. 2) Существует два типа величин (переменных) в различных областях физики: потоковые величины (иные термины в технической литературе: «через» величины или 1-величины), например, электрические токи или механические силы; разностные величины (иные термины: «между» величины, 2-величины), например, электрические напряжения и давления жидкостей. Пример в виде цепочки понятий «область физики-потоковая величина-разностная величина»: электричество-ток-напряжение. Другой пример: поступательное механическое движение-сила-скорость и перемещение. Еще примеры: механика вращения-момент-угловая скорость; пневматика-объемный расход-давление; тепловые эффекты-тепловой поток-температура. 3) Связи – это идеальный элемент. Он имеет одинаковую «разностную» величину в каждой точке и не имеет потерь потоковой величины через себя. Таким образом, такой элемент может рассматриваться как одиночная точка. Математическая модель структуры такой сети – это направленный граф: ребра соответствуют элементам, а вершины соответствуют связям. 4) Элементы обычно описываются как двухполюсники и многополюсники. 5) Взаимосвязь между потоковыми и разностными величинами в основном задаётся явными или неявными уравнениями или дифференциальными уравнениями, зависящими от терминальных (конечных, предельных) величин и, возможно, внутренних состояний. 6) Потоковые и разностные величины выполняют и обеспечивают два закона сохранения: сумма всех разностных величин между вершинами вдоль каждой цепи в графе сети равняется нулю; сумма всех потоковых величин внутри каждой вершины (более обобщенно, в каждом сечении графа) равна нулю. В качестве примера сетевого подхода при моделировании микросистем можно привести следующий. Бесклапанный микронасос, управляемый пьезоэлектрическим элементом, который выполняет роль мембраны в цилиндре насоса, можно отмоделировать как сеть с жидкостными, механическими и электрическими элементами.

 KrF – фторид криптона. Так обозначают эксимерный лазер, где используются газы криптон и фтор. Лазер имеет длину волны излучения 248 нм. Применяется в 0,18-микронной технологии изготовления микроизделий. См. Excimer laser.

 Laminar flow - ламинарный поток

 Lapping - доводка, шлифование. Промежуточный процесс утончения (между шлифовкой и полированием), в котором управляемое удаление материала, качество обработки поверхности и получение необходимой плоскостности имеют одинаково важное значение

 Laser-assisted chemical vapour deposition (LCVD) - Сопровождаемое лазером химическое осаждение из газовой фазы. Технология которая использует лазерный луч для управления химическим осаждением из газовой фазы

 Laser Drilling - лазерное сверление. Метод, который используют для создания 3- мерных структур в таких материалах, как кремний, стекло, пластик при помощи динамического фокусирования высококоллимированного, монохроматического, когерентного светового пучка на рабочую область

 Laser interferometry - лазерная интерферометрия. Технология для определения геометрии, точных расстояний и т.д использующих явление интерференции лазерных лучей

 Lattice - кристаллическая решётка

 Layer Thickness - толщина слоя, измеряется в микронах или нанометрах

 Layer Thickness variation (LTV) - колебание толщины слоя

 Layout - топология, размещение элементов на кристалле

 Left-hand orthogonal crystallographic axial set - левосторонняя ортогональная кристаллографическая осевая группа

 Lift-off technique - метод обратной [взрывной] литографии. Технология для получения металлических контактных площадок на чипе.

 Light driven actuator - актюатр управляемый светом. Актюатр, который использует свет как сигнал управления или источник энергии

 Linear actuator - линейный актюатр. Актюатр, который генерирует линейное движение

 Linearity - линейность, максимальная разница между базисной линейной линией и выходным сигналом устройства

 Lithography - литография. Процесс переноса рисунка на поверхность пластины с помощью светового излучения (photolithography), потока электронов или рентгеновского излучения (X-ray lithography)

 LIGA - Лига-технология. Технология, объединяющая процессы литографии, гальваники и формовки для получения микроструктур

 Localized Electrochemical Deposition (LED) - локализованное электрохимическое осаждение

 Low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) - химическое осаждение из паровой [газовой] фазы при пониженном давлении

 Lost wafer process - процесс уничтожения подложки. Технология, которая использует селективное травление для удаления большей части подложки и оставшейся части диффузионного слоя

 Low temperature oxide (LTO) - низкотемпературный оксид

 Mask - маска, шаблон. Носитель рисунка и, собственно, сам рисунок, используемый в литографии для переноса изображения

 Mechanical shock - механический удар. Максимальный механический удар, приложенный к каждой оси в + или - направлении, при котором ни одна из частей не будет разрушена, когда к устройству приложено номинальное напряжение

 Melt - плавление, расплав

 MEMS - микроэлектромеханические системы. Миниатюрные устройства, включающие в свой состав три компоненты: микроактюатор, микросенсор и электронная система управления. Термин наиболее распространен в США, в Европе для обозначения этой области применяется термин "микросистемная технология" (MST: MicroSystems Technology), в России - "микросистемная техника", в Японии - "микромашины" (micromachines)

 MEMS Industry Group (MIG) - промышленная группа по МЭМС

 Microsystem - микросистема

 Micro-chamber - микрокамера

 Micro-cutting and grinding - микрорезание и шлифовка. Микромеханический процесс используемый для скобления поверхности некоторого объекта, используя байт или шлифовальный круг

 Micro injection molding (MIM) - микролитьевая формовка, микролитье под высоким давлением

 Micromolding - микроформовка. Технология получения микроскопических элементов заданной формы после заливки расплавленного материала в шаблон

 Microgripper - микрозахват, микрозажим. Механическое устройство, которое сжимает микроскопические объекты

 Micropump - микронасос. Механическое устройство, которое сдавливает и затем транспортирует небольшое количество жидкости

 Microrelay - микрореле

 Microscopic surgery - микрохирургия. Хирургические операции, выполняемые под микроскопом

 Microswitch - микропереключатель

 Microtweezer - микропинцет

 Microvalve - микроклапан. Механическое устройство, которое управляет потоком жидкости в микроскопическом канале

 Microwave - микроволна, радиоволна с частотой выше 1 ГГц

 Microengineering - технология получения 3-х мерных структур/устройств с размерами порядка микрометр

 Microfabrication - технология производства для изготовления микроскопических устройств, таких как интегральные схемы и МЭМС

 Micron - микрон. Единица толщины/длины, равная 10_-6 м.

 Microstructures - полная или частичная архитектура устройства, полученная из слоёв осаждённого материала

 Microtechnology - технология, имеющая дело с материалами микронных размеров

 Micro-Optical Electro-Mechanical Systems (MOEMS) - микрооптоэлектромеханическая система (в тело кремниевого чипа встроены оптические элементы)

 Micromirrors - микрозеркала. МЭМС технология позволяет изготавливать микроскопические зеркала, которые управляют светом для применения в оптических переключателях и проекционных дисплеях

 Microsystems Technology (MST) - микросистемная технология

 Miller Index - индексы Миллера

 Modified nodal analysis (MNA) - усовершенствованный узловой анализ

 Modular system for Constraint Nonlinear Microsystem Optimization (MOSCITO) - модульная система для оптимизации ограничения нелинейности микросистемы

 Mohs' scratch hardness - твердость по шкале Моса

 Moore's Law - закон Мура

 Movable part - подвижный узел

 Molecular dynamics - молекулярная динамика. Динамика, которая объясняет макроскопические явления, с характеристикой молекулярного движения на основе на классической динамики

 Multi-User MEMS Process (MUMPS) - многопользовательский МЭМС процесс

 Multipole - многополюсник

 Multidomain system - многообластная система, многофакторная система

 Nanometer - нанометр. Единица толщины/длины, равная 10^-9 м. 1 нм=10 ангстрем.

 Nanotechnology - нанотехнология. Технология, позволяющая создавать устройства (элементы устройств), размеры которых составляют от 0,5 нм до 0,1 мкм.

 Negative lithography – негативная (обратная) литография. Перенос на поверхность подложки изображения, противоположного (обратного) изображению на маске (на фоторезисте).

 Negative resist - негативный резист. При использовании негативного фоторезиста участки, которые были освещены (подвержены экспонированию) закрепляются и остаются после проявления.

 N-epi - эпитаксиальный слой, легированный примесью n-типа проводимости. Для Si – это легирование P, As или Sb.

 Netlist - список (таблица) элементов. Компьютерный файл, перечисляющий все элементы схемы (микросхемы) вместе с узлами, с помощью которых они связаны между собой. Это своего рода спецификация (список) элементов схемы (микросхемы). Например, такой список элементов формируется в программной среде SPICE.

 Nitinol (nickel titanium alloy) – нитинол. Сплав никеля с титаном. Обладает суперупругостью, памятью формы, высокой устойчивостью к коррозии, биосовместимостью. Используется при создании минимально инвазивного хирургического оборудования, например, в эндоскопах. Инвазивность – способность возбудителей инфекционных заболеваний (вирусов, бактерий и др.) проникать в организм человека и распространяться в нем.

 Nitric acid (HNO₃) – азотная кислота. Сильный окислитель. Используется в виде растворов для жидкостного травления металлов и для очистки кремниевых подложек.

 Nitride – нитрид. Соединения азота с более электроположительными элементами, главным образом с металлами. По строению и свойствам нитриды подразделяются на три группы: солеобразные, ковалентные, металлоподобные. Например, соединение аммиака и моносилана используется в процессе химического осаждения из газовой фазы для формирования электроизоляционных (непроводящих) тонких пленок нитрида кремния: NH₃+SiH₄→Si₃N₄+H₂. Пленки нитрида кремния отличаются химической инертностью и применяются, например, для создания изопланарной изоляции элементов СБИС и LOCOS-процессе.

 Nitrogen - азот, атомный символ N. Химический элемент V группы периодической системы Менделеева. Атомный номер 7, атомная масса 14,0067. Удельный вес 0,972. Бесцветный газ, не имеющий ни запаха ни вкуса, очень мало растворим в воде. Азот широко используется в ходе технологии ИС как инертный промывочный газ вследствие низкой стоимости. Однако его следует использовать осторожно, потому что при некоторых услоиях он начинает вступать в реакцию с другими веществами. Например, при температуре >950^oC азот будет термически реагировать с кремнием, формируя нитрид кремния в среде, обеднённой кислородом. Поэтому когда в диффузионной печи температура становится >950^oC обычно добавляют небольшое количество кислорода для подавления формирования нитрида кремния.

 Nodal analysis - узловой анализ. Относится к методологии структурного проектирования. Используется для разработки точных, заранее предопределенных блоков. Состоит из следующих этапов. Декомпозиция (разбивка) схемы на N устройств. Моделирование каждого устройства посредством простых дифференциальных уравнений с коэффициентами, параметризированными исходя из геометрии устрйства и свойств материала, полученных в ходе практических измерений или из спецификации (возможностей) используемого технологического процесса. Соединение устройств в узлы и решение результирующих связанных (сложных) дифференциальных уравнений в стандартных микроэлектронных симуляторах. Иногда в некоторой научно-технической литературе понятие «узловой анализ» относится к физико-химическому анализу кристаллической структуры веществ, а также элементов, находящихся в узлах кристаллической решетки. Пример: узловой анализ вещества GaAlAs или определение межузельного расстояния в кристаллической решетке кремния.

 Node - узел. Элемент кристаллической решетки вещества.

 Noise Density - интенсивность звука (шума). Интенсивность звука – средняя по времени энергия, которую звуковая волна переносит в единицу времени через единицу поверхности, расположенной перпендикулярно к направлению распространения волны. Однако в англоязычной литературе по МЭМС – тематике под этим выражением более понимают «величину шумовых сигналов». Величина шумового сигнала – это минимальный разрешенный сигнал сенсора при комнатной температуре и номинальном напряжении. Шумовой сигнал – это флуктуации тока и напряжения относительно их среднего значения. Флуктуации возникают в результате дробового эффекта (неравномерность диффузии электронов в полупроводниках), а также в результате теплового движения носителей заряда в полупроводниках.

 Non-contact handling - бесконтактное, дистанционное управление. Бесконтактный захват и перемещение объектов, например, в магнитном или электростатическом поле.

 Nonlinearity – нелинейность. Отклонение от линейной зависимости (в виде прямой линии) выходного сигнала устройства от входного параметра. Пример из нелинейной оптики: в условиях сильных световых полей поляризация среды начинает нелинейно зависеть от напряженности электрического поля световой волны. Нелинейная акустика изучает свойства звуковых волн большой амплитуды (интенсивности). В условиях нелинейности прямая линия может быть определена лишь при использовании конечных точек зависимости (другое название – терминальных, концевых точек зависимости), а также методом аппроксимации. Аппроксимация – замена одних математических объектов другими, более простыми и близкими к исходным (замена кривых линий близкими к ним ломаными).

 Notch – выемка, метка, насечка. Специально созданная технологическая насечка на торце подложки. Насечка ориентирована так, чтобы диаметр, проходящий через центр насечки, был параллелен определенному кристаллографическому направлению. Применяется в технологии для одинакового ориентирования пластин в реакторе при выполнении какого-либо критичного технологического процесса.

 Novolak – новолак. Новолачная смола. Аморфный полимерный лак. Термопластичная фенол-формальдегидная смола. Отверждается только в присутствии специальных реагентов – отвердителей. Используется в формовке, при соединении (склеивании) материалов, а также при выполнении электрической изоляции, например, между слоями многослойной металлизации или для бескорпусной сборки изделий.

 Numerical Aperture (NA) - числовая апертура. Параметр, определяющий геометрию линзы объектива, используемую в проекционной фотолитографии. Определяет способность линзы собирать свет дифрагированный от маски/промежуточного фотошаблона.

 N-well – n-карман. Локальная, диффузионно созданная, область чипа, легированная примесью n-типа, в теле которой, как «в кармане», формируются p-канальные МОП-транзисторы и устройства.

 Operating temperature - рабочая температура, измеренная в градусах. Диапазон температур, в рамках которого устройство будет соответствовать техническим требованиям, например, от минус 50 ⁰С до плюс 125 ⁰С.

 Optical Attenuator - оптический аттенюатор. Пассивное устройство для уменьшения амплитуды сигнала без существенного искажения формы сигнала

 Optical Lithography - оптическая литография. Использует линзы и свет для точного проецирования и экспонирования изображения маски на покрытую резистом полупроводниковую пластину.

 Optical Proximity Correction (OPC) - оптическая корректировка близости – фотолитографическая операция которая представляет из себя выборочное изменение размера изображения в изображение сетки с целью компенсации дифракции света и интреференции между близко расположенными топологическими элементами.

 Optical Pyrometer - оптический пирометр. Бесконтактный датчик температуры. Действие пирометра основано на использовании теплового излучения нагретых тел.

 Optoceramic Materials - оптокерамические материалы. Класс запатентованных корпорацией Corning материалов, обладающих высоким электро-оптическим коэффициентом. Например, легированные ионизированным редкоземельным металлом эрбием пленки фторидного стекла. Изготавливают эти материалы, используя процесс химического осаждения из газовой фазы. Эти материалы применяются для уменьшения размеров оптических микроустройств.

 Ordinary differential equations (ODEs) - обыкновенное дифференциальное уравнение. Обыкновенное дифференциальное уравнение связывает значение функции со значениями ее производных по одной переменной в некоторой точке. Обыкновенным дифференциальным уравнением называется уравнение вида F(x, y, y', ... , y⁽ⁿ⁾) = 0, где F - известная функция, x - независимая переменная, y=y(x) - неизвестная (искомая) функция, n - порядок уравнения. Так, примером простейшего ОДУ является уравнение y=y', решением которого служит экспонента y=exp(x). ОДУ используются для математического моделирования микроустройств на разных уровнях, например, описание на системном уровне.

 Osmosis - осмос. Движение (поток) жидкости через полупроницаемую мембрану из раствора с более высокой концентрацией в раствор с меньшей концентрацией. Полупроницаемая мембрана – диафрагма, пропускающая вещество (молекулы или ионы) преимущественно только в одну сторону. Движение (поток) происходит до тех пор, пока не сравняется концентрация жидкости по обе стороны мембраны. В отличие от диффузии, в случае осмоса, состояние химического равновесия между двумя граничащими растворами достигается посредством потока скорее растворителя, чем растворенного вещества. Характеризуется осмотическим давлением. Оно равно избыточному внешнему давлению, которое следует приложить со стороны жидкости (раствора), чтобы прекратить осмос. Играет важную роль в физиологических процессах. Его используют при исследовании биологических структур.

 Outgassing - дегазация. Освобождение материалов от абсорбированных газов или паров при помощи нагревания или используя вакуум.

 Overlay – наложение, перекрытие, перекрывание. В фотолитографии – наложение рисунка с маски (фотошаблона) на уже существующий рисунок на подложке. Более широко – это перекрытие (степень перекрытия) одного рисунка другим, наложенным сверху. Теоретически перекрытие (степень перекрытия) может быть нулевым (рисунки в точности совпали), положительным или отрицательным (два последних случая – рисунки не совпадают и один вписывают в другой). На практике, в МЭМС-технологии, второй (верхний) рисунок обычно вписывают внутрь первого (нижнего). Особенно это касается точности вписывания фотолитографических масок одних слоев в фотолитографические метки других слоев.

 Overlay Budget – запас наложения. Фактически это допуск на смещение рисунков друг относительно друга. В литографии – максимально допустимое смещение между новым, только что сформированным изображением в слое, и изображением в ранее полученном слое. См Overlay.

 Oxidation - окисление, оксидирование. Процесс формирования окислов химических элементов Например, окисление Si, поли-Si, оксидирование Al. При описании физико-химических явлений – удаление одного или нескольких электронов в атоме химических элементов с передачей этих электронов атомам окислителя.

 Oxygen - кислород. Газ используемый в полупроводниковом производстве для окисления кремния или для формирования оксида, осажденного из газовой фазы.

 Partial differential equations (PDEs) - дифференциальные уравнения в частных производных

 Passivation - пассивация

 Perovskite - перовскит, класс веществ

 Phase transition - фазовый переход

 Photolithography - фотолитография. Базовая Свет/Маска/Фоторезист технология, используемая для получения микромашинных устройств с определёнными размерами и формой

 Photomask - фотошаблон,

 Photoresist - фоторезист. Светочувствительный материал, использующийся для переноса рисунка

 Piezoelectric actuator - пьезоэлектрический актюатор. Актюатр, который использует пьезоэлектрический материал.

 Piezoelectric constant - пьезоэлектрическая постоянная

 Piezoceramic - пьезокерамика

 Pipe inspection micro-robot - микроробот для исследования труб. Микроробот, вставленный в трубу, для изучения её ненормальных участков.

 Plasma etching - плазменное травление

 Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) - плазмохимическое осаждение из паровой [газовой] фазы

 Polymethylmethacrylate (PMMA) - пластмасса из полиметилметакрилата (фоторезист) с изоляционными свойствами, используемая для шаблонов МЭМС

 Poisson's Ratio - коэффициент Пуассона

 Polysilicon (polycrystalline silicon) - поликристаллический кремний. Широко используется как материал для МЭМС устройств

 Polishing - полировка. Специально предназначенная технологическая операция для получения более лучшей чистоты поверхности с минимальными потерями материала и минимальным воздействием на плоскостность

 Polishing Pads - полировальник. Платформа, применяемая для удержания выравнивающей полирующей суспензии, обычно сделанная из полиуретана

 Polimer - полимер

 Polydimethylsiloxane (PDMS) - полидиметилсилоксан

 Polyimide - полиимид. Полимерный материал, полученный из реакции пиромеллитового диангидрида и ароматического диамина

 Polyvinylidene chloride (PVDC) - поливинилиденхлорид

 Poly Vinylidene Flouride (PVDF) - поливинилиденфторид

 Porosilicon - пористый кремний

 Potassium hydroxide (KOH) - гидроксид калия

 Powder blasting - технология порошковой очистки поверхности. Очистка порошком - это эрозийная технология удаления материала. Она использует кинетическую энергию частиц порошка для получения трещин на поверхности подложки и следовательно удаления материала

 Precise positioning - точное позиционирование. Управление объектом для помещения его в указанное место в пространстве с очень узким диапазоном допуска

 Precursor - исходный материал, исходное вещество

 Pressure sensor - сенсор давления.

 Proximity lithography - литография с микрозазором

 Projection lithography - проекционная литография

 P-type silicon - кремний с p-типом проводимости

 Pyroelectric - пироэлектрик

 Pyrolysis - пиролиз

 PZT (Lead Zirconate Titanate) - пьезокерамика цирконат-титанат свинца

 Quantum well – квантовая яма. Искуственная структура, в которой носители заряда ограничены в одном измерении. Другими словами: электроны демонстрируют волновые свойства в одном измерении, но ведут себя как свободные электроны в двух других. Технология на эффекте квантовой ямы использует это свойство для получения полупроводникового лазера, который является гораздо более эффективным, чем обычный лазер на p-n переходе.

 Quartz – кварц. Кристаллический оксид кремния – SiO₂. Инертный, химически очень устойчивый пьезоэлектрический материал. Различают: природный кварц и искусственно выращенный (т.н. пьезокварц).

 Quartz micro balance sensor module – кварцевый сенсорный модуль микровесов. Модуль состоит из восьми кварцевых балансовых микросенсоров, покрытых разными полимерами (например, полисилоксаном). Каждый кварцевый преобразователь управляется одной колебательной схемой. При этом покрытие, подвергаясь воздействию, используется для анализа газового потока. Когда происходит взаимодействие между покрытием и газовым потоком, – возникает адсорбция летучих молекул на поверхность покрытия. Это приводит к нанометрическому изменению массы покрытия. Это изменение массы покрытия, в свою очередь, приводит к «расстраиванию» кварцевого преобразователя. Происходит смещение его по частоте, следовательно, количество измененной массы может быть точно измерено. Восемь кварцевых преобразователей расположены в своих съемных разъемах и находятся на верху крышки маленькой измерительной камеры. Кроме восьми преобраователей, модуль содержит еще термостат для обеспечения камеры стабильной температурой, либо заданной пользователем, либо чуть ниже комнатной. Полимерное покрытие выбирается таким образом, чтобы обеспечить широкий диапазон анализируемых химических и физических свойств газов (в т.ч. поляризуемость, водородную связь (H-bonding), и т.д). Микроустройство применяется также для определения (детектирования) больших молекул.

 Reactive Ion Etching (RIE) - реактивное ионное травление. Технология, которая объединяет травление агрессивным газом и распыление ионов

 Reduced system - уменьшенная система, система со сниженным порядком

 Refractive index - коэффициент преломления

 Remanent polarization - остаточная поляризация

 Resolution - разрешающая способность. Минимально обнаружимое изменение во входном сигнале

 Reynolds number - число Рейнолдса

 RF-MEMS - ВЧ МЭМС. МЭМС, специально разработанные для таких применений, как катушки индуктивности, переключатели, преобразователи частоты, антенн и т.д., работающие в радиочастотном диапазоне.

 Right-hand orthogonal crystallographic axial set - правосторонняя ортогональная кристаллографическая осевая группа

 Rochelle salt - сегнетова соль

 Scale effect - эффект масштаба. Изменения воздействия разных эффектов на поведение объекта или его свойств вследствие изменения его размеров

 Scanning electron microscope (SEM) - растровый электронный микроскоп. Микроскоп, который сканирует образец электронным лучом, измеряет интенсивность квантов испускаемых образцом, таких как вторичные электроны, отраженные электроны и т.п., для преобразования в электрический сигнал

 Scanning probe microscope (SPM) - сканирующий зондовый микроскоп. Любой микроскоп, который использует зонд с наконечником атомных размеров и сканирует им в растре близ образца для измерения физических величин между зондом и поверхностью для получения изображения

 Scanning tunneling microscope (STM) - сканирующий туннельный микроскоп. Микроскоп, который измеряет микроскопические геометрии, сохраняя постоянным туннельный ток между зондом и образцом, пока производится сканирование зондом растра

 Self-heating - самонагревание

 Selectivity - селективность

 Self-assembly - самосборка

 Semiconductor - полупроводник

 Sensitivity - чувствительность

 Shape memory alloy - сплав памяти формы. Сплав, который может вернуть свою первоначальную форму после деформации, которая произошла вследствие изменения температуры

 Shifting - смещение, сдвиг

 Shrinkage - масштабирование, пропорциональное уменьшение размеров

 Silicon - кремний

 Silicon dioxide - диоксид кремния

 Silicon nitride - нитрид кремния

 Silicon fusion bonding - кремниевое соединение методом сплавления. Технология объединения гидрофилизованных подложек, сделанных из Si, окисленного кремния и т.д первичной водородной связью между поверхностями и затем связи Si-O-Si после отжига при высокой температуре

 Smart pill - умная таблетка. Робот, который выполняет измерения и осуществляет доставку лекарственных средств внутри организма

 Solid-state image sensor - твердотельный датчик изображения. Полупроводник, который преобразует оптическое изображение в электрический сигнал

 SOI: Silicon on Insulator - кремний-на-изоляторе. Тип производственного процесса при котором кремний наносится на изолирующую подложку (стекло, сапфир).

 Soft lithography - лёгкая литография. Наиболее часто используемое всеобъемлющее понятие для набора методов (наноконтактная литография, наноштамповка и т.д), которая проста по идее и основана на наноструктуированых формах или шаблонах. Она может использоваться для создания наноуровневых изображений посредством нанесения краски и прессованием её на поверхность или нанесением углублений негативных частей формы (шаблона) на поверхность, плюс некоторые другие вариации. Методы очень просты в принципе и так как они подразумевают наличие печатной машины, есть возможность массового производства. Методы не требуют специального оборудования и сверхчистых комнат, как на заводах изготавливающих кремниевые чипы.

 Span - размах. Динамический диапазон физических сигналов, которые можно преобразовать в электрические сигналы сенсором.

 Specific heat - удельная теплоемкость

 Spin coating - технология получения покрытий методом центрифугирования

 Spontaneous polarization - спонтанная поляризация

 Sputtering - металлизация, напыление. Процесс испускания атомов или группы атомов с поверхности катода (отрицательного электрода) в вакуумной трубке как результат воздействия тяжёлых ионов. Этот процесс используется для осаждения тонкого слоя металла на стекло, пластику, металл или другую поверхность в вакууме.

 Static frictional force - сила трения покоя

 Steady state analysis - анализ устойчивого состояния

 Stress - напряжение

 Strain - деформация

 Stiction - стикция. Понятие, объединяющее слипание и трение

 Stiffness - жёсткость

 Subset - подсеть

 Substrate - подложка, синоним слова Wafer. Материал на основе которого строится микроустройство

 Superconducting quantum interference device (SQUIDS) - сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик

 Surface Micromachining - поверхностная микрообработка. Процессы осаждения и удаления для медленного построения структур на основе тонкоплёночных материалов

 Surface smoothness - чистота поверхности

 Surface tension - поверхностное натяжение

 SU-8 - специальный основанный на эпоксидной смоле оптический резист

 System-level model - модель системного уровня

 Taper - конусность данной подложки

 Tactile sensor - тактильный сенсор. Устройство, составленное из высоко интегрированных сенсоров давления или силовых сенсоров, которые обеспечивают чувство осязания

 Tensile strength - прочность на разрыв

 Temperature coefficient of resistivity (TCR) - тепмпературный коэффицинет сопротивления

 Tetra Methyl Ammonium Hydroxide (TMAH) - тетраметиловый гидроксид аммония

 Thermal conductivity - теплопроводность

 Thermal actuator - тепловой актюатор

 Thermoplastic polymer - термопластичный полимер

 Thermoset polymer - термоотверждающийся [термореактивный] полимер

 Thin film technology - тонкоплёночная технология, технология которая формирует тонкие плёнки на подложке

 Thick film technology - толстоплёночная технология. Технология, которая формирует толстые плёнки на подложке

 Time-consuming - затратный по времени, трудоёмкий

 Torque - крутящий момент, вращающий момент

 Total Thickness Variation (TTV) - полный разброс по толщине

 Transducer - преобразователь, который преобразовывает одну форму энергии в другую.

 Transient analysis - анализ переходных процессов

 Transmission electron microscope (TEM) - просвечивающий электронный микроскоп, ТЭМ. Тип микроскопа, в котором электронный луч фокусируют на образец и изображение формируется транспортировкой электронного луча при помощи геометрической оптики

 Turbulent flow - вихревой поток

 Ultrasonic motor - ультразвуковой мотор. Двигатель, который использует ультразвуковое колебание переданное через гибкие механические элементы

 Undercutting - подтравливание

 Van der Waals forces - Ван-дер-ваальсовы силы

 Variable gap electrostatic actuator - электростатический актюатр с изменяющимся зазором

 Vapor deposition -осаждение газовой фазы. Технология, которая осаждает вещество из газовой фазы на твёрдую поверхность

 V-groove - V-образная канавка

 Vibration sensor - сенсор вибраций

 Viscous force - сила внутреннего трения. Сила, вызванная вязкостью жидкости

 Wafer bonding - соединение пластин. Существует несколько технологий соединения пластин. Выбор наиболее подходящей зависит от конкретных применений и используемых материалов. Различают: анодное соединение; прямое соединение (прикрепление) материалов методом сплавления; соединение эвтектическим расплавом; соединение склеиванием и т.д. Технология соединения подложек используется при изготовлении структур типа "кремний на диэлектрике", а также в технологическом процессе изготовления целостного микроустройства. Например, эта технология применяется на начальном этапе изготовления сенсора абсолютного давления (для соединения подложек с целью формирования области с вакуумом). Применяется эта технология и на завершающем этапе при сборке устройства. Все процессы соединения чувствительны к чистоте поверхности соединяемых структур. Частицы, застрявшие между пластинами, могут привести к образованию пустот и, в конечном счете, к разрушению соединения. Также для большинства этих процессов микрообработки требуется обратить внимание на напряжения, создаваемые в ходе процесса. Особенно это касается микромеханических сенсоров. По этой причине материалы, соединяемые вместе, и материалы, которые используются для их соединения, должны обладать минимальным терморассогласованием. В противном случае даже небольшие температурные изменения приведут к возникновению напряжений в микроустройстве. Соединение должно быть устойчиво на протяжении всей жизни микроизделия. Любая пластическая деформация или деформация текучести может изменить выходной сигнал устройства, влияя на его калибровку и долговременную стабильность. Соединение должно быть также достаточно крепким для противодействия напряжению, приложенному к устройству извне.

 Wear - износ. Изменение размеров, формы, массы микрообъекта, изменение состояния его поверхности. Происходит из-за постоянно действующих нагрузок либо из-за разрушения поверхностного слоя при трении. Износ в МЭМС чаще всего вызван следующими причинами: адгезия (слипание); абразивный износ (стирание); эрозия из-за разрыва оксидных покрытий; усталость. 1). Внутри области контакта, вследствие сил адгезии, может происходить перемещение вещества между точками контакта и искажение кристаллической решётки. Межатомные взаимодействия – это результат разрушения и преобразования атомных связей. Перемещение вещества становится более очевидным при комбинировании материалов, которые имеют большее взаимное адгезивное сходство или химическую растворимость, создавая больший износ при контакте похожих поверхностей, чем при разнородных. 2). При абразивном износе, материал стирается из-за неровностей поверхности взаимодействующих материалов или из-за твёрдых частиц. В основном более твёрдый материал удаляет верхний слой с более мягкого материала во время прохождения контакта. 3). Поскольку поверхность металлических материалов покрыта оксидной плёнкой, высокие локальные нагрузки могут привести к разрыву оксидной плёнки. Это приведёт к открытию металлической поверхности и в результате к формированию новой оксидной плёнки. 4). Усталость – это результат циклических напряжений, которые вызывают пластические деформации поверхности.

 Weber number - число Вебера

 Well – карман. Относительно глубокая, легированная область, в которой изготавливают микроустройства. КМОП требует по крайней мере один карман, поскольку n-канальный МОП транзистор требует p-фоновое легирование, a p-канальный МОП транзистор требует n-фоновое легирование.

 Wet etching - жидкостное (влажное) травление. Процесс травления в жидкой фазе реактивным химическим раствором

 Wobble motor - двигатель колебания. Электростатический мотор с переменным зазором, который генерирует поперечное движение ротора на эксцентрическом статоре без скольжения

 X-Ray lithography – рентгенолитография. Очень быстрый литографический процесс, использующий рентгеновские лучи для засвечивания резиста. Рентгенолитография требует специальную маску (шаблон) и резист, чувствительный к рентгеновскому излучению. Рентгенолитография позволяет получать более высокое разрешение вследствие более короткой длины волны излучения. Используется в технологии LIGA. Основная причина разработки рентгеновской литографии заключается в возможности получения высокого разрешения и высокой производительности оборудования. Типовая рентгеновская литографическая установка состоит из следующих основных узлов. Кольцевая электронная пушка, сфокусированная на водоохлаждаемую палладиевую мишень, генерирует электронный пучок напряжением 25 кВ и мощностью 5-6 кВт. В результате этого мишень испускает рентгеновские лучи с длиной волны 0,437 нм, которые проходят через берилиевое окно в камере экспонирования, заполненной гелием. Гелий предотвращает поглощение рентгеновских лучей воздухом. Рентгеновские резисты состоят из поглощающего основного полимерного материалв и полимеризуемой мономерной добавки, вводимой в структуру основного материала под воздействием рентгеновского излучения. Негативные рентгеновские резисты получают введением кремнийсодержащих металлоорганических мономеров в хлорированное полимерное поглощающее вещество. Рентгеновские шаблоны состоят из поглощающих рентгеновское излучение металлических пленок (например, золото) и тонкой мембраны, пропускающей рентгеновские лучи. Для изготовления мембран используют такие материалы, как полиимид, Si, SiC, Si₃N₄, Al₂O₃ и многослойные структуры Si₃N₄/SiO₂/Si₃N₄.

 X-Ray Fluorescence (XRF) – метод рентгеновской флюоресценции. Неразрушающий метод для измерения толщины пленок, основанный на рентгеновском спектре, испукаемом образцом. Применение рентгенофлюоресцентного анализа целесообразно для исследования диэлектриков, например окислов или полимеров. Это связано с тем, что эти образцы при таком методе исследований не заряжаются и не разлагаются. Такое происходит, например, в результате действия электронного луча, но это уже не рентгенофлюоресцентный анализ, а совсем другой метод исследований – рентгеновский микроанализ. Ограничения рентгенофлюоресцентного анализа: значительная ширина первичного рентгеновского пучка делает нецелесообразным применение рентгеновского флюоресцентного анализа для исследования отдельных элементов микроизделий. Этот метод более полезен для анализа участков образцов большой площади. Наконец, при рентгеновском флюоресцентном анализе вторичное характеристическое рентгеновское излучение возбуждается со значительно большего (по глубине) объема образца, так как рентгеновское излучение достаточно глубоко проникает в материалы. Это обстоятельство следует учитывать при использовании рентгеновского флюоресцентного анализа для исследования многослойных структур.

 X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) – рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. Метод поверхностного анализа, использующийся для определения химического состава твердых поверхностей. Позволяет определять энергию связи. Анализ основан на определении энергии электронов, испускаемых твердым телом в результате подвержения его монохроматическому рентгеновскому излучению. Очень эффективен для обнаружения на поверхности кремния закисей кремния. Облучение поверхности образца рентгеновским пучком способно в случае высоких энергий рентгеновских квантов вызвать эмиссию вторичных электронов за счёт возбуждения внутренних электронных оболочек атомов. Электроны с различными энергиями связи обусловливают появление раздельных пиков фотоэлектронного спектра. Применение этого явления для химического анализа облучаемой поверхности получило название электронной спектроскопии с целью химического анализа. Это второе название XPS. Первичный рентгеновский пучок обычно возбуждается за счет облучения электронами низких энергий анода из алюминия или магния. Так как энергия вторичных фотоэлектронов, возбуждаемых при использовании алюминиевых и магниевых источников, достаточно низкая, то глубина проникновения вторичных электронов в исследуемое вещество менее 5 нм. Поэтому появляется возможность анализировать химический состав тонкого (несколько атомных слоёв) приповерхностного слоя. Для исследования профилей распределения примесей по глубине осуществляется ионное распыление поверхностных слоёв. Разрешение по глубине рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии очень высокое и не превышает толщины атомного монослоя. Разрешение по площади (в плоскости) очень низкое, так как диаметр первичного рентгеновского пучка составляет 1-2 мм. Возможности метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии следующие. Метод обеспечивает возможность исследования радиационно нестойких материалов, так как процессы диссоциации и десорбции при возбуждении рентгеновскими квантами существенно меньше, чем, например, при электронном возбуждении. Во-вторых, использование электрически нейтрального первичного пучка значительно снижает вероятность заряда поверхности исследуемых диэлектриков. В-третьих, по данным рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии можно получать информацию о химической связи. Энергетические уровни электронов внутренних оболочек зависят от валентного состояния и типа химической связи. Типичное энергетическое разрешение пиков спектров рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии составляет ~0,5 эВ. Поскольку различные типы химической связи часто обусловливают сдвиги энергии связи на большие величины, то эти сдвиги можно детектировать с целью идентификации характера связи.

 Yield – выход (годных) изделий. Процент выхода годных изделий по отношению к их общему количеству.

 Yield model – модель выхода годных изделий. Математическая вероятностная модель, которая преобразует плотность дефектов в планируемый выход годных микроизделий.

 Yokogawa differential resonant pressure sensor – дифференциальный резонансный сенсор давления корпорации Йокогава. Разработан в корпорации электроники Йокогава (Япония). Он состоит из двух резонаторов, размещенных на диафрагме, дифференциальный выход которых обеспечивает отсчет показаний сенсора. Резонаторы возбуждаются электромагнитным полем. Для этого микроустройство помещается в магнитное поле и через его структуру пропускается переменный ток.

 Young modulus – модуль Юнга. Модуль Юнга имеет и другое название – модуль упругости. Это постоянная материала, соотносящая механическое напряжение и упругую деформацию. Эта мера жесткости материала. Например, алмаз имеет очень высокий модуль Юнга, в то время как мягкие полимеры имеют его низкое значение. Модуль Юнга часто зависит от кристаллографических направлений материала. Модули упругости представляют собой коэффициенты зависимости деформации от приложенных напряжений (и наоборот). В простейшем случае малых деформаций эта зависимость линейная, а модуль упругости – коэффициент пропорциональности. Число модулей упругости для анизотропных кристаллов достигает 21 и зависит от симметрии кристалла. Упругие свойства изотропного вещества можно описать двумя постоянными, связанными с модулем Юнга, коэффициентом Пуассона, модулем сдвига и модулем объемного сжатия. Модули упругости конкретного материала зависят от его химического состава, предварительной обработки, температуры и др.

 Yaw rate sensor – сенсор скорости вращения вокруг вертикальной оси, в робототехнике – сенсор скорости сгибания. Сенсор состоит из двух изготовленных поверхностной микрообработкой акселерометров, которые расположены на соответствующих колеблющихся сейсмических массах (гирьках). Ось измерения каждого акселерометра ортоганальна направлению колебания сейсмических масс. Вращение вокруг третьей ортогональной оси (вертикальной, yaw-оси) прилагает силу Кориолиса на акселерометры. Измерение разницы между фильтрами двух акселерометров отфильтровывает линейное ускорение и удваивает сигнал силы Кориолиса. Синхронная демодуляция, использующая скорость осциллятора, генерирует сигнал пропорциональный скорости вращения вокруг вертикальной оси.

 Yttrium Barium Copper Oxide (YBACUO) – иттриево-бариевая керамика. Это твердый, хрупкий керамический материал, имеющий сверхпроводящие свойства.

 Yttrium Aluminum Garnet (YAG) – алюмоиттриевый гранат. Исходный материал для лазеров. Используется для создания лазерных систем, особенно при легировании этого вещества редкоземельными ионами, например неодимом. Выходные частоты в основном в ближнем инфракрасном диапазоне. Также записывается как YAlG.

 Zapper (laser) – установка лазерной подгонки резистов.

 Zener diode – диод Зенера. Полупроводниковое, двухполюсное устройство с обратным смещением в область пробоя. Устройство имеет высокий импеданс при приложении напряжения ниже, чем напряжение пробоя. Ток увеличивается существенно при приложении напряжения выше напряжения пробоя. Следовательно, устройство применяется как регулятор напряжения.

 Zephyr – зефир. Общее понятие, использующееся для описания легковесных тканей. Например, исследователи технологического института штата Джорджии (США) изобрели "умную рубашку» из специальной легковесной ткани. В ткань встроено (интегрировано) инвазивное сенсорное оборудование. Оно способно измерять сердечный ритм, температуру, контролировать дыхание и т.д.

 Zero offset – коррекция нуля, смещение нуля. Выходной сигнал сенсора при нулевом входном сигнале и при определенном напряжении питания или токе.

 Zeta potential – электрокинетический потенциал, зета-потенциал. Часть общего скачка потенциала на границе двух фаз, определяющая относительное перемещение этих фаз при электрокинетических явлениях. Электрокинетические явления, группа явлений, наблюдаемых в дисперсных системах и капиллярах и выражающихся либо в возникновении движения одной из фаз по отношению к другой под действием внешнего электрического поля (электроосмос, электрофорез), либо в возникновении разности потенциалов в направлении относительного движения фаз, вызываемого механическими силами (эффект Дорна, потенциал течения).

 Zinc sulfide – сульфид цинка. Химическая формула ZnS. Полупроводник, у которого ширина запрещенной зоны, одна из самых больших среди полупроводников, используемых на практике. Материал может использоваться для получения излучателя синего света.

 Zone leveling – зонное выравнивание. Метод зонного выравнивания позволяет вводить в германий контролируемое количество равномерно распределенных легирующих примесей. Один из вариантов зонного выравнивания состоит в том, что поликристаллический слиток чистого германия помещают в горизонтальную трубу или лодочку из плавленого кварца. С одного конца загруженного материала помещают монокристаллическую германиевую затравку. Нагревательный виток создает расплавленную зону в месте соприкосновения затравки со слитком. В зону вводят крупинку легирующего материала (индия или сурьмы), а затем медленно перемещают зону вдоль слитка. Легирующая примесь в малых, но постоянных количествах переходит в затвердевающий германий позади расплавленной зоны. В результате получается монокристалл с весьма однородным содержанием примеси почти по всей его длине.

 Zone melting – зонная плавка. Металлургический процесс для получения сверхчистого металла. Очистка состоит в непрерывном плавлении неочищенного материала и рекристаллизации чистого металла. Метод очистки полупроводниковых материалов, таких, как германий и кремний, для применений в микроэлектронике. При использовании этого метода по длинному слитку твердого материала медленно перемещают узкую зону расплава, в результате чего благодаря рекристаллизации происходит перераспределение примесей, растворенных в слитке. Окончательное распределение примесей зависит от их первоначального распределения, числа и ширины зон расплава и направления их движения. Наиболее важное значение имеют два варианта зонной плавки – зонная очистка и зонное выравнивание. См. также Zone refining и Zone leveling.

 Zone refining – зонная очистка. Метод состоит в том, что некоторое число расплавленных зон перемещают по слитку в одном направлении. Каждая зона переносит определенное количество примесей к концу слитка, очищая от них остальную его часть. Зонная очистка была разработана в начале 1950-х годов В. Пфанном (США), как метод получения сверхчистого германия. Она позволяет получать германий с содержанием примесей менее 0,0001%. Зонная плавка была применена также для очистки других полупроводниковых материалов, металлов, органических и неорганических соединений. Методика зонной очистки. Германиевый слиток, помещенный в графитовую лодочку, перемещают внутри ряда кольцевых индукционных нагревателей. Каждый нагреватель расплавляет узкий участок слитка. При перемещении слитка через нагреватель расплавленная зона перемещается по слитку, и растворенные примеси, переходя через переднюю границу раздела твердой и жидкой фаз, накапливаются в расплаве и переносятся к концу слитка. Таким образом, процесс зонной очистки основан на фракционной рекристаллизации, которая может быть многократно повторена. В конечном счете достигается некий предельный уровень очистки, после которого дальнейшее увеличение числа проходов зоны не дает эффекта. При данной ширине зоны предельный уровень чистоты тем выше, чем длиннее слиток. Длину слитка обычно выбирают так, чтобы она была примерно в 10 раз больше ширины зоны. Две разновидности зонной очистки – метод плавающей зоны и метод непрерывной зонной очистки. Подробнее. Метод плавающей зоны. Этот метод особенно подходит для очистки кремния. Установка представляет собой вакуумную камеру с закрепленным в ней вертикально кремниевым стержнем, окруженным витком из медной трубки. Медный виток служит нагревательным индуктором и токами высокой частоты расплавляет узкую поперечную зону стержня. Нагревательный виток можно перемещать вверх по стержню либо, при неподвижном витке, перемещать слиток. В обоих случаях расплавленная зона тоже перемещается и переносит оказавшиеся в ней примеси. Методом плавающей зоны был получен кремний очень высокой чистоты; он пригоден также для очистки металлов с высокой температурой плавления – молибдена, вольфрама, железа, ниобия и рения. Непрерывная зонная очистка. При непрерывной зонной очистке исходный материал непрерывно подается в установку, так что образуются два непрерывных встречных потока: один – чистого материала (продукт), а другой – загрязненного (отходы).

P.S  Если Вы не нашли здесь какого-нибудь слова или у Вас есть предложения по добавлению новых слов, либо усовершенствованию словаря, пожалуйста свяжитесь с нами по почте или посредством гостевой книги. Также мы осуществляем переводы текстов по микросистемной технике, микроэлектронике, МЭМС, нанотехнологии с английского языка на русский.